氧化鎢陶瓷EDS圖譜

氧化鎢陶瓷壓敏電阻在載入電壓的作用下，其漏電流隨時間是一個減小的過程。這說明氧化鎢壓敏電阻的晶界勢壘模型與氧化鋅等傳統壓敏電阻不同。

典型的氧化鋅壓敏電阻在一定電壓載入下，漏電流會隨著載入時間變大，電能能耗增加，樣品溫度升高，最終熱擊穿。氧化鋅壓敏電阻老化的原因是因為在一定電壓作用下，其耗盡層的填隙離子移動到晶界中和了晶界的負電子缺陷，以及晶界的氧負離子解吸附，導致晶界勢壘全降低，晶界電阻減小，漏電流增加，產生焦耳熱，使得晶界勢壘全進一步降低。

因為氧化鎢是氧空位為主的N型半導體，所以晶粒內部還有氧空位，即晶粒中氧原子的數量與鎢原子的數量之比小於3。氧化鎢陶瓷晶粒的表面是富氧的，即晶粒表面中氧原子的數量與鎢原子的數量之比大於3。對燒結的樣品的晶粒表面進行元素含量分析，證實了其晶粒表面氧原子對鶴原子的數量之比大於3。

圖是不同保溫溫度下燒結的樣品的晶粒表面點掃描EDS圖譜。隨著保溫溫度的提高，氧元素的峰值升高。在1050℃保溫燒結的氧化鎢陶瓷氧元素峰峰值最高。氧原子與鶴原子的含量之比均大於3。表明氧化鎢陶瓷燒結過程中，晶粒表面氧富集過程發生在降溫過程。