氧化鎢納米花薄膜Pt摻雜

Pt摻雜技術能夠使氧化鎢納米花薄膜的電致變色性能得到充分的提高，而氧化鎢納米花薄膜Pt摻雜的流程如下：

（1）把氧化鎢納米花薄膜放入磁控濺射儀中，在磁控濺射儀腔內溫度為25 ℃、真空度為4.0 ×10-1 Pa條件下，以4mA的濺射電流濺射10s。在薄膜表面濺射上一層Pt薄膜層，即可得到Pt表面修飾氧化鎢納米花結構體薄膜。氧化鎢納米花後的襯底截面的SEM圖中，可以看出在納米線上層生長了氧化鎢納米花，其結構具有較多的電子傳輸通道。

（2）Pt摻雜：在敏感元兩端鍍電極，再引線封裝。把掩模放置在氧化鎢納米花薄膜上面，然後通過磁控濺射法，在真空度為5 Pa條件下，以0.6 A的濺射電流濺射30s，在Pt表面修飾氧化鎢納米花薄膜的兩端沉積了兩個相距為3.0 mm，寬為5.0 mm的鎢金屬電極。最後引線封裝，實現與外聯導線的良好電接觸，得到Pt表面修飾氧化鎢納米花結構體薄膜氫氣感測器。

可見納米花結構體較多，直徑為4-6μm，納米花之間互相交叉，具有較為穩定的接觸結，提供較多的電子轉移通道。多根納米棒圍繞著中心生長，呈分支狀結構。長度為2μm-3μm，直徑為200 nm，具有較多的電子傳輸通道。從而能提高氣體分子的吸附率，提高氫氣傳感回應靈敏度。XRD譜圖中在23.6°、26.6°、28.9°、34.1°和41.1°的衍射峰符合三斜晶系結構的氧化鎢表明薄膜結晶度高，並已經完全氧化為氧化鎢。