圖1-1示出了鎢青銅結構晶體在(001)面上的投影。當6個A1，A2位置未全部為陽離子填充且C位置全空時，稱為非充滿型結構(如SBN，CSBN等)；當6個A1，A2位置全部為陽離子填充而C位置全空時，稱為充滿型結構(如：鈮酸鋇鈉BNN等)；當6個A1，A2位置與4個C位置均為陽離子填充時，稱為完全充滿型結構。充滿型或完全充滿型的TB結構具有良好的光學穩定性。實驗表明，這種充滿型TB結構在室溫時不會出現(或具有較輕微的)、“光損傷”；然而，非充滿型TB結構晶體對“光損傷”是敏感的。

 

對於充滿型TB結構的晶體在鐳射應用上十分重要，近幾年來出現的大量的充滿型(或完全充滿型)TB結構的化合物，就是在這一基礎上發展起來的。在製備這類化合物的晶體時，為了滿足電中性並完全填滿6個A位置，往往在晶體中引入異價的陽離子如(Li⁺、Na⁺，Bi³⁺和其他稀土元素等)填充A位置，也可用其他離子(如Zr⁴⁺、Ti⁴⁺、Ws⁸⁺等)置換Nb⁵⁺離子。

 

對於非充滿型TB結構的鈮酸鹽，可以通過分子設計和摻雜進一步提高晶體材料的品質或改變其各種性能。另外，TB結構鈮酸鹽大部分還具有優良的鐵電性能，但由於其合成成分和構造上的差異對它的鐵電性能以及其他性質有著重大影響(明顯的例子如鈮酸鍶鋇SBN)，因此為了獲得所需性能的晶體材料，研究此類材料的摻雜和固溶體的組成是很有意義的。關於TB結構鈮酸型的鐵電現象的機理研究並不多，目前認為它們屬於“一維型”鐵電體，其鐵電機理可採用離子位移極化的觀點來解釋：當晶體冷卻至居裏點以下時，處於氧八面體中心和Al，A2位置上的所有金屬離子，相對於附近的氧原子平面發生位移，從而導致了晶體自發極化的產生。