TB型晶體材料的分子設計近年來取得了許多新進展．主要體現在：充填A位置應用到了新的元素；充填B位置元素的多樣化以及摻雜改性。

 

表1列出了Foster等通過分子設計開發的部分新晶體。從中可以發現，TB型晶體材料的開發，A位置傳統上主要引用Ba、Sr、Pb，K等元素來充填，近年出現了引用La、Ce等稀土元素來充填的新動向。稀土元素的TB型晶體材料的國內報導不多．但國外已經有較為系統的研究；B位置傳統只設一種陽離子佔據．近年來，通過在該位置引入低價陽離子，使得A位置可引入更多的陽離子來平衡電價，擴大了A位置分子設計的餘地，同時也有利於得到結構穩定的TB晶體。

 

對TB型晶體材料進行微量摻雜，可以有針對地改善其性能，提高晶體的生長品質。表2給出了SBN、KNSBN在摻雜後性能的變化。

 

值得一提的是，TB型晶體材料的應用研究進展較快。SBN、PBN等經典的TB型晶體材料，其陶瓷材料和薄膜材料的製備、性能研究活躍；同國外相比，國內B位置採用W元素的TB型晶體材料研究較少。磷酸鹽的TB結構薄膜由於具有良好的超導應用前景，已經引起極大的重視，但國內此方面的研究顯得薄弱。