許多鎢青銅結構的鈮酸鹽晶體具有優良的電光及非線性光學性質，因而在全息存貯、耦合放大和光學相位共軛、光學資訊處理領域有著廣泛的用途。同時又由於鎢青銅結構鈮酸鹽晶體記憶體在三種類型的結構空位A、B和C，容易引入其他離子，可以通過分子設計和摻雜來改變或提高晶體材料的各種性能，所以，近年來有關這類晶體材料的研究越來越受到重視。然而，人們在致力改善晶體生長性能的同時，對鎢青銅結構晶體中陽離子的占位、價態以及陽離子的配位數等方面的研究進行得卻較少，但這些問題在晶體的生長及性能研究中往往是一些很重要的因索。目前，國內外學者，對於鎢青銅結構晶體內部結構空位及晶體結構通式的表示，陽離子配位數的多少等仍存在著一定分歧，其中有些表達方式不確切，甚至有誤。所以對這些問題加以研究探討無疑是很有意義的。

 

鎢青銅結構可分為兩類：四方鎢青銅結構和六方鎢青銅結構。通常所說鎢青銅結構主要指四方鎢青銅結構；鎢青銅型的鋸酸鹽晶體結構這裏主要參照文獻。圖1為鎢青銅晶體結構在(001)面上的投影，虛線表示一般四方晶系單胞的大小。其結構是由鈮氧八面體作共頂點連接為“骨架 而堆積起來，且形成三種不同空睞：三元(C)、四元(A2)及五元環(AI)(這些均為三方柱形、四方柱形及五角柱形空隙的簡稱)。鈮氧八面體又因所處位置的對稱性不同而有B1,B2兩種。一般四方晶系的單胞，它包括四個A1位置，兩個A2位置，四個C位置，兩個Bl位置，八個B2位置，以及30個氧原子。所以其結構填充公式可寫為(A1)₄(A2)₂(C)₄

(B1)₂(B2)₈O₃₀ 或 (A1)₄(A2)₂(C4)B₁₀O₃₀。