仲鎢酸銨製備氧化鎢納米片自組裝微球

三氧化鎢是一種η-型寬禁帶半導體氧化物(禁帶寬度約2.8eV)，由於晶體記憶體在著原子或電子缺陷，使化合物發生化學計量偏離，其電荷載流子濃度主要決定於化學計量缺陷(如氧空位)的濃度，使其具有優異的催化和氣敏性能。在半導體氣體感測器領域，低維度納米氧化鎢被認為是檢測氮氧化物等環境有害氣體最具前景的新型半導體氣敏材料，而備受關注。有研究向我們展示一種氧化鎢納米片自組裝微球的製備方法，其步驟如下：

1.溶解鎢鹽
將仲鎢酸銨（APT）置於反應容器中，加入去離子水，配成濃度為0.10〜0.80mol/L的溶液；
2.加草酸，超聲波反應
將APT溶液置於100〜750W功率的超聲波發生器中，在超聲條件下加入草酸充分反應，其中草酸的加入量按每升APT溶液中加入0.12〜0.47mol的草酸；
3.滴加無機酸溶液，調pH值
將濃度為1.00〜4.50mol/L的無機酸溶液緩慢滴加到上述溶液中，調節PH值至0.50〜3.50，繼續超聲反應20〜150min，得到黃色沉澱；
4.離心、洗滌，後乾燥制得產品
經離心洗滌，將得到的黃色沉澱在50〜80°C下乾燥4〜20h，制得所需氧化鎢納米片自組裝微球。

仲鎢酸銨供應商：中鎢在線科技有限公司	產品詳情： ammonium-paratungstate.com
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