石墨烯被稱為“黑金”是目前被發現的最薄、強度最大、導熱導電性能最強的新型納米材料，是“新材料之王”， 甚至有科學家預言石墨烯將會“徹底改變21世紀”。非常有可能會掀起一場席捲全球，顛覆性的新技術革命。

太陽能是可再生能源，利用太陽能來將空氣中的水分離為氫氣和氧氣，並以氫氣作為一種新能源是有望解決目前能源匱乏以及環境問題，因此受到人們的廣泛關注。在半導體中，能作為光催化制氫的材料，且具有性能穩定及低廉的成本特點的氧化鎢成為了熱門的研究材料。但是氧化鎢（WO3）本身光生電子-空穴容易複合，限制了其光電性能，因此為了提高其光電轉化性能常用的方式有半導體複合、表面敏化、貴金屬沉積、離子摻雜等。將還原氧化石墨烯（RGO）作為電子的傳遞介質能提高半導體材料中的光電子遷移速率，大大降低光生電子-空穴複合的幾率，提高半導體材料光電轉化的效率。本文選擇以氧化石墨烯（GO）作為製備石墨烯的前驅體，採用提拉法製備石墨烯與氧化鎢製備複合膜並對其進行熱處理，探究石墨烯是否能提高氧化鎢光電轉化性能。

 

石墨烯-氧化鎢複合薄膜物相和形貌表徵。提拉法製備的複合膜結構比較平滑，存在裂紋以及空隙，熱處理之後，薄膜呈現多孔形態。複合RGO後會限制WO3納米顆粒的生長，使其結晶度受到一定的影響，顆粒尺寸變小，同時孔間隙率也降低，整體而言薄膜較為緻密。在微觀狀態下石墨烯與氧化鎢時互相接觸，WO3分佈在RGO表面或者被RGO表面包裹。