選用氧化鑭（La3O2）、氧化錫（SnO2）以及氧化銅（CuO）金屬氧化物摻雜三氧化鎢（WO3）陶瓷，分析這三種摻雜WO3陶瓷微觀結構的影響。低濃度La3O2摻雜明顯促進了WO3晶粒的生長，，摻雜後晶粒的尺寸都變大了，但是當摻雜的濃度繼續上升時，晶粒尺寸開始變小，晶粒生長又被抑制了；SnO2的摻雜抑制了晶粒的生長，使晶粒的尺寸明顯小於未摻雜WO3陶瓷，而且隨著濃度增加逐漸變得更小；而CuO卻促進了晶粒的生長，而且隨著濃度增長而變大。La3O2與SnO2的摻雜使得WO3陶瓷的孔隙率變小並且隨著摻雜濃度增加更變小，而CuO的孔隙率在摻雜濃度為1.0mol%左右到達小。隨著摻雜濃度的增加，摻雜La3O2與CuO會存在同一種現象，即摻雜濃度大於溶解度都會出現第二相，分別為La2WO6、CuWO4，第二相都是由摻雜物與WO3發生反應生成的，這點與鐵系金屬氧化物類似；而摻雜SnO2出現的第二相為SnO2，這點與鐵系金屬氧化物、氧化鑭以及氧化銅都不同，比較特別。

 

摻雜La3O2、SnO2及CuO對WO3陶瓷電導率的到影響。摻雜La3O2和CuO明顯增加WO3陶瓷的電導率，隨著摻雜濃度的增加，電導率上升至最大數值後開始下降，La3O2與CuO摻雜濃度分別為0.5mol%與5.0mol%時，WO3陶瓷具有最大電導率，電導率出現下降是因為摻雜濃度上升在WO3陶瓷晶界上產生第二相，使得晶界間的流動性降低，同時也使得晶粒間的空隙附著於晶界附近，導致電導率下降。而摻雜SnO2的WO3陶瓷雖然也會因為摻雜濃度增加在晶界間出現第二相即SnO2，但是SnO2具有更好的電導率，所以WO3陶瓷的電導率會繼續上升，濃度為10.0mol%時出現最大電導率。而且三者的電導率都會隨著環境溫度的上升而增加。