交流電化學腐蝕法製備單晶鎢絲
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- 分類:鎢的知識
- 發佈於:2022-08-30, 週二 10:11
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作爲場發射電子顯微鏡的核心部件之一,場發射電子源性能决定著場發射電鏡中主要的電子光學性能參數,它包括電子槍的發射角電流密度、電子束總發射電流及電子束的穩定度等。爲了滿足場發射電子源亮度高、束流大、束穩定性好、電子能量分散小等的要求,需要對氧化鋯/鎢肖特基場發射電子源(ZrO/W Schottky)場發射電子源的單晶鎢絲的針尖做尖化處理,一般要求針尖的曲率半徑在0.5-1.0μm之間。
WS2納米材料能源轉換和儲存系統的最新發展
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- 發佈於:2022-08-29, 週一 22:07
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WS2因其獨特的結構特性和合適的氫結合能(與鉑族金屬相當)而廣受關注。人們對WS2納米材料在能源轉換和儲存方面的應用進行了廣泛的研究。
WS2納米材料的IF-WS2和NT-WS2形態及其製備
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- 發佈於:2022-08-27, 週六 21:45
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WS2納米材料的形式包括納米片、IF-WS2和NT-WS2,以及其他。化學氣固反應是合成IF-WS2納米粒子和納米管的最著名和成熟的方法。Tenne等人最初使用WO3薄膜和H2S在850℃的還原氣氛(95% N2+5% H2)中合成了IF-WS2納米顆粒和納米管。但這種方法只能合成少量的產品。
二硫化鎢納米材料常見形式:納米片
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- 發佈於:2022-08-25, 週四 16:51
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納米片是二硫化鎢納米材料最常見的形式,主要的可控合成策略可以分為兩類:自上而下和自下而上法。自上而下法可以以較低的成本生產少量或單層的樣品,這對基礎研究非常有利。在自上而下法中,通過Scotch膠帶進行機械剝離是最簡單的方法,通過Scotch膠帶剝離的WS2只有幾層或單層。
WS2納米材料的可控合成
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- 發佈於:2022-08-25, 週四 16:49
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1T-WS2結構和2H-WS2結構的WS2納米材料的可控合成很重要。1T-WS2結構由於增加了催化活性位元點的密度和金屬導電性,被認為是一種高效的氫氣演化的助催化劑,而2H-WS2結構可以作為可見光敏劑使用。因此,WS2的晶相調節的各種合成方法備受關注。由於從1T-WS2到穩定的2H-WS2的轉化可以通過退火輕易實現,因此研究實現相反轉化的可行方法受到了廣泛關注。
二硫化鎢納米材料的電子特性和HER機理
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- 分類:鎢的知識
- 發佈於:2022-08-23, 週二 21:19
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由於二硫化鎢納米材料在能量轉換和存儲領域具有廣闊的應用前景,人們致力於研究和改善其WS2的電子特性和HER機理,如載流子濃度(p)、遷移率(μ)和電阻率(ρ)。根據理論預測,在半導體TMDCs中,由於有效品質降低,WS2具有最高的電子遷移率。