二碲化鉬納米片的相位選擇性

二碲化鉬（MoTe₂）是一種目前流行的過渡金屬二氯化物，因為它具有異質性，包括金屬、半導體和拓撲狀態。許多研究小組目前都在關注二碲化鉬納米片的合成，以促進其在現代電子應用中進行設備集成。

最近發表在《先進材料介面》（Advanced Materials Interfaces）雜誌上的一項研究側重于利用類比引導的化學氣相沉積（CVD）技術大規模合成二碲化鉬（MoTe₂）納米片。

過渡金屬二鈣化物（TMDs）因其非凡的特性而在2D材料中獲得了很大的關注。與其他TMDs相比，二碲化鉬由於其可調節的無定形相，特別是導電的1T'和半導電的2H相，引起了極大的關注。

1T'相，擁有正方體成分，是獲得顯著拓撲特徵的前體步驟，作為單個和多層納米片中原子自旋霍爾現象的承載體，具有特別的意義。另一方面，2H-MoTe₂由於其微小的帶隙、良好的吸收和低熱導率，在納米電子學中作為二維層狀材料具有重要的前景。

因此，MoTe₂被認為是研究具有各種相關應用的相變特徵的傑出設計材料，如二維非揮發性存放裝置。這是因為MoTe₂納米片的上述兩個非晶態相之間的能量變化很小。

此外，由於MoTe₂具有超高的移動性、光學透射率、薄型結構和耐化學性，因此在場效應設備、微電子和能源存儲等應用方面是一個很有前途的選擇。然而，大量的知識儲備和可重複的生長策略對於將MoTe₂從實驗室推向可大規模製造領域是必要的。

化學氣相沉積（CVD）生產二碲化鉬納米片。機械研磨、化學乳化和物理蒸氣形成通常被用來製造多層TMD，如MoTe₂。然而，這些方法由於其不準確的相位控制、粗糙度、不可預測的分佈和不均勻性而有很大的缺點。

文章來源：https://www.azonano.com/news.aspx?newsID=39878

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