對用於生長藍寶石單晶，在生長過程中的特性，如溫度和流場的內（壁到壁）和結晶內部（散裝）輻射的影響下，結構的感應加熱提拉爐傳熱和晶體融化的數值使用二維准穩態有限元法界面進行了研究。全局分析所獲得的結果表明溫度場，熱傳輸結構和晶體熔融接口的這兩種類型的生長爐內的輻射熱傳遞的一個很強的依賴性。

該明確定義的和單晶藍寶石的可重複的電性能，使其對於微帶一個有吸引力的襯底材料，但是它的介電各向異性是一項重要的設計複雜化。對藍寶石基板單微帶線切斷與一個指定的方向准靜態特性考慮到各向異性，一個新的介電常數參數被引入，這是線性函數到基板高度的比W/H 。 W/H的變化是由有限差分方法得出。萬向曲線微帶上正確地定向藍寶石呈現，表示1） epsilonreq ；2）低頻極限的有效介電常數微帶epsilone0 ，所有線Z 0 ；3）特性阻抗為W/H功能。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

通過金屬有機汽相外延（MOVPE）法研究了非極性a面氮化鎵的直接生長於R-平面藍寶石襯底上發現氮化鎵的高密度成核生長在r面藍寶石基板在高溫生長的初始階段沒有緩沖層，這導致在a面氮化鎵的平坦表面上。我們還研究了生長條件對表面形貌和a面氮化鎵的生長特征的影響。結果表明，包圍面逆三角形的凹坑形成在相對高的V / III比，和橫向生長率沿c軸方向上以相對低的V/III比增強。

提出了以氮化鎵的選擇性外延延伸到橫向過度生長，並采取增長各向異性的優勢，產生應變自由的氮化鎵晶體。通過選擇性外延填充所述開口中的介電掩模後，橫向過生長發生反射的各向異性生長。這允許具有非平面的幾何形狀的樣品的制造。在選擇性外延被直至島聚結進行或者通過MOVPE或鹵化物氣相外延（HVPE ），金屬有機物氣相外延（ MOVPE ），而橫向過生長來實現。氮化鎵外延層是用常壓金屬有機物氣相外延在藍寶石上首先生長。電介質膜是氮化矽。開口均采用標准的光刻技術來實現。這些開口露出自由的氮化鎵表面，並通過MOVPE用於外延再生長，然後通過HVPE 。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

外延氧化錫薄膜上生長用反應射頻磁控濺射在藍寶石襯底。使用從浦項光源（PLS）組成的2電子伏特的電子加速器， 4圓X射線衍射儀，原子力顯微鏡（AFM） ，透射電子顯微鏡（TEM）的3C2束線薄膜的微觀結構進行了研究與拋光氧化鋁的氧化錫薄膜比較。可以確認，該薄膜外延生長用的變型晶體結構的藍寶石基板上。沒有晶粒邊界被陳列在外延薄膜的表面上。在氧化錫薄膜的吸附位的大部分似乎與氣體發生化學作用。

外延的氧化錫氣體傳感器，使用鉑加熱器和電極，表現出高靈敏度的可燃氣體和95%的酒精在2000 ppm或350 ℃的特定靈敏度該傳感器也表現出良好的穩定性，小的基線漂移和快速反應和大約5和30秒的恢複時間，分別為。

這個實驗證實了外延生長的氧化錫氣體傳感器的良好氣敏特性。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

從通過在氮化鎵中的場效應晶體管（FET）一種MIS柵結構而產生的器件的性能的改進提出。氮化鎵MISFET / MESFET器件被制造在藍寶石襯底上具有和不具有對設備表面的薄氮化矽層的插入。在MIS場效應管器件顯示改進的器件特性由於顯著減少器件柵極漏相對於標准MESFET結構。測得的功率和線性性能表現出可喜的成果。根據於4GHz單音測試，設備產生的飽和輸出功率6.2瓦/毫米， 55 ％的峰值功率附加效率。當使用雙音信號設備進行測試保持了載體的30 dBc的高達1.8瓦/毫米， 40 ％的功率附加效率功率級三階互調比。

氮化鎵薄膜通過使用在低溫下生長的氮化鎵緩沖層的低壓金屬有機化學氣相沉積生長在c面藍寶石基板上。氮化鎵薄膜的質量和表面形貌進行了強烈影響，在氮化鎵緩沖層和氮化鎵外延層的生長之前，在藍寶石基板的表面進行預處理。生長在預氮化的藍寶石基片表現出的膜對這些生長在即使表面形態變得粗糙襯底的膜的改進的電性能和光學性能。我們已經在2× 1016-5 ×的範圍實現了載流子濃度1017厘米-3和電子遷移率在250-300厘米2 / V s於室溫的範圍內。氮化鎵薄膜是由光致發光，霍爾測量，X-射線搖擺曲線和透射電子和掃描電鏡進行評價。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

半極性的氮化鎵通過控制在無掩模r面圖案化藍寶石襯底的各向異性生長速率來實現。經優化的生長條件下，對蝕刻的c面狀藍寶石氮化鎵層的生長速度比在其它平面，如原始r面藍寶石高得多。奇導向的氮化鎵證實當氮化鎵生長僅在c面狀藍寶石側壁。的各向異性生長速度的控制是使用無掩模圖案的基板成長非極性和半極性層非常有用。

描述了通過有機金屬化學氣相沉積在r面藍寶石襯底的非極性a面氮化鎵薄膜生長的結構特征。平坦生長表面已實現並針對設備質量層的電位通過沉積低溫成核層之前，高溫外延生長實現。在氮化鎵相對於該面藍寶石基板的面內方向被證實是和由於氮化鎵薄膜的極性，用會聚光束電子衍射確定這種關系是明確定義的。位錯和堆垛層錯，在平面圖和剖面透射電子顯微鏡圖像觀察，主導了氮化鎵微觀結構與密度分別為亞微米坑和晶體露臺上觀察到光學鏡面的氮化鎵表面的原子力顯微鏡。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

主要是六方晶系氮化鎵成核層通過低壓有機金屬氣相外延生長在藍寶石襯底上。氮化鎵關於正常藍寶石基板的單個晶粒的傾斜角度被確定為在從0°到5 °的範圍內通過選擇區域電子衍射。觀察到氮化鎵構成的立方相的一小部分被選擇性地分布在晶界區和瞬時表面狀態是建議在閃鋅礦相的成核中發揮重要作用。由六方引起的從離子束輻射沉重的氮化鎵立方相轉變也注意到了。臨界溫度建議在形成主要是立方或六方氮化鎵成核層存在。

研究了生長的氮化鎵外延層的氮化鎵緩沖層的生長速率的影響。人們發現這個增長速度在改善氮化鎵薄膜的藍寶石襯底上的質量和最佳的生長速率，存在產生最佳的晶體質量的關鍵作用。上生長的緩沖層與18.3納米的最適生長速率的氮化鎵薄膜/分鐘具有539平方厘米/ VS的電子霍爾遷移率和大約2×108cm^-2的位錯密度。氮化鎵薄膜的品質，這些改進是通過促進橫向生長模式的說明。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

氮化物為基礎的大功率倒裝芯片（ FC ）發光二極管（LED）用雙面圖案化藍寶石基板（ PSS）的提出和實現。下350 mA的電流注入，我們發現正向電壓分別為3.24 ，3.26 ，和3.25 V的常規LED的FC ，FC LED上制備的PSS ，並分別為FC LED具有雙面PSS 。人們發現，在350 mA的LED輸出功率分別為79.3 ， 98.1和121.5毫瓦的常規LED的FC ，FC LED上制備的PSS ，並分別為FC LED具有雙面PSS 。換言之，我們可以由53％提高的電致發光強度，而不制造LED的增大操作電壓。

InGaN型氮化鎵的發光二極管（LED）具有粗糙未摻雜的氮化鎵表面和銀鏡的藍寶石襯底上通過雙轉移方法制造的。我們發現，在20mA的注入電流，其發光亮度比傳統LED大100％。其輸出功率比傳統LED大49 ％。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

主要是六方晶系氮化鎵成核層通過低壓有機金屬氣相外延生長在藍寶石襯底上。氮化鎵關於正常藍寶石基板的單個晶粒的傾斜角度被確定為在從0°到5 °的範圍內通過選擇區域電子衍射。觀察到氮化鎵構成的立方相的一小部分被選擇性地分布在晶界區和瞬時表面狀態是建議在閃鋅礦相的成核中發揮重要作用。由六方引起的從離子束輻射沉重的氮化鎵立方相轉變也注意到了。臨界溫度建議在形成主要是立方或六方氮化鎵成核層存在。

在藍寶石上外延橫向雜草叢生的氮化鎵被用來減少螺旋位錯從氮化鎵外延層與藍寶石襯底的界面始發的數量。在氮化鎵層周圍的窗口，對應的橫向過度生長的氧化矽掩模區以上，幾乎是自由的穿透位錯。中觀察到的氮化鎵的附近窗口中的區域生長的穿透位錯的密度高。的InGaN多量子阱結構的激光二極管（LD ）生長在純淨的氮化鎵襯底，這是由去除藍寶石襯底制作，進行了論證。用5毫瓦的輸出功率的LD展出超過290小時的壽命和10,000小時的壽命估計盡管有比較大的閾值電流密度。具有切割面鏡子這些LD的遠場圖形顯示單模發射無任何幹擾效應。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

未摻雜AlGaN-GaN功率高電子遷移率晶體管（HEMT ）與470 -V的擊穿電壓藍寶石襯底被制造並表現為一個高電壓的DC-DC轉換器的主開關裝置。所制造的功率HEMT實現高擊穿電壓與場板結構和3.9 MΩ·厘米²，這比傳統的矽的MOSFET 10×下的低通態電阻。使用該制造裝置在300 V的輸入電壓，這些結果表明在AlGaN-GaN功率HEMT器件的藍寶石基板為未來的開關電源裝置的有前途的可能性的降壓斬波器電路的DC-DC轉換器的操作被證明。

氮化矽鈍化的AlGaN / GaN異質結場效應晶體管（ HJFETs ）上制備薄化藍寶石基板。在50 / SPL畝/米厚的藍寶石一個16毫米寬的HJFET展出22.6 W（ 1.4 W /毫米） CW功率， 41.9 ％的PAE ，並在26 V漏極偏置9.4分貝線性增益。此外， 32毫米寬的裝置，根據脈沖操作測量，證實113 W（ 3.5 W /毫米）脈沖功率在40 V漏極偏置。據我們所知，113 W的總功率是最高的實現氮化鎵上任何基材，建立氮化鎵上稀疏的藍寶石技術的有效性。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn

在氮化鎵薄膜的電性能的低溫緩沖層厚度的影響進行了研究，並且表面形貌也審查通過原子力顯微鏡。最佳表面形貌不顯示最佳的電氣性能，這可以歸因於對藍寶石襯底的正常增長機制氮化鎵薄膜。的生長溫度為最後的氮化鎵層的影響也被研究。當生長溫度升高到1100 ℃時，流動性大大增強， 600平方厘米​​/ V s的3.3 × 1016/cm3在室溫下具有背景載流子密度。近帶隙態激子在低溫下的發光能量示出了具有增加的生長溫度，由於增強的熱應力藍移。基於熱應力模型的計算非常吻合與光致發光測量。這一結果可以部分解釋，在不久的帶隙激子發射能量先前公布的數值是分散的原因。

生長在藍寶石外延的氮化鎵層包含一個非常大的密度缺陷（線位錯，層錯，反相疇界），這些缺陷已經完成了基礎堆垛層錯用高分辨透射電子顯微鏡的分析。兩個斷層， I1和I2，進行了鑒定。的I1故障的形成是基於（ 1/3） langle11 - 20rangle的完美的位錯或爬升解離過程而I2故障是由於導致的局部結構的剪切位錯環。


鎢產品生產商、供應商：中鎢在線科技有限公司
產品詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購電話：0592-5129696 傳真：0592-5129797
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢鉬文庫：http://i.chinatungsten.com
鎢新聞、價格手機網站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
鉬新聞、鉬價格：http://news.molybdenum.com.cn