鎢佈線形成方法

本發明提供一種形成鎢佈線的方法。在將形成金屬佈線處形成刻蝕阻擋層用作掩模，以減少對鎢結層的厚度限制。步驟如下：

1）在半導體襯底上形成金屬佈線；

2）形成適當的光致抗蝕劑膜圖形，以暴露金屬佈線層上相應于將形成金屬佈線的部分；

3）固化光致抗蝕劑膜圖形；

4）在金屬佈線層暴露的部分上選擇性地形成金屬薄膜；

5）利用氯基等離子體對金屬薄膜進行處理，從而形成金屬氯化物薄膜；

6）除去光致抗蝕劑膜圖形；

7）將金屬氯化物薄膜作為掩模對金屬佈線層進行刻蝕；

8）除去金屬氯化物薄膜形成鎢佈線。

本發明提供足夠的工藝餘量，從而實現提高半導體器件的可靠性和集成度。

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