仿真和氮化鎵晶圓彎曲的藍寶石襯底上分析

在異質外延生長的過程中，如果生長膜的晶格常數不同於基板，晶片表面弓，無論的晶格失配是否發生。如在大型晶片的生長加快，彎曲效應變得越來越重要。晶圓彎曲對產量在現代大規模生產化合物半導體產業有直接影響。通過使用有限元分析軟件，在氮化鎵晶片的藍寶石襯底上的彎曲變形進行研究。結果表明，外延晶片彎曲具有與襯底的直徑的平方成線性關系，但與該基板的厚度的關系不大。此外，晶圓彎曲的關系方程終於也被簡化。

在MOCVD生長過程可分為四個階段：反應物輸入階段，反應物的混合階段，在所述襯底上方立即邊界層相，並在基板表面本身的增長階段。生長的並發症，可以發生在這些階段包括在反應物的混合氣相反應，反應物的擴散和/或熱解的基片之上的邊界層中，並從所述襯底的物種的熱力學或動力學抑制。最惡劣的影響可以通過提供適當的設備設計和工藝條件來降低或消除。


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