大直徑藍寶石襯底的技術壁壘

采用大直徑藍寶石襯底的第二個障礙是一組技術的障礙，它開始與挑戰藍寶石晶體生長-在創造藍寶石基板的第一步。今天的藍寶石為高亮度發光二極管，通常生長在一個軸上，即使HB- LED需要沿c軸的晶片。為了從一個軸藍寶石晶體c軸晶圓，核心必須采取橫盤 - 浪費藍寶石的很大一部分。

今天的a軸藍寶石生長技術也導致核化大直徑的應用程序時無法避免的缺陷。的6音量 - 或8的核心是如此之大，缺陷成為不可避免的，核心必須縮短或報廢。從側身取心的全部損失和缺陷浪費材料的80％以上。對於8中的應用，該廢物是超過90 ％，生產成本的兩倍。

引起的a軸生長的另一個障礙是，所得到的晶片具有在其表面上的應力和應變的變化。因為晶片是從晶塊的一個側面的核心，而毛坯沿a軸生長，晶片本身具有在其整個表面長的生長時間的簽名。這在外延生長過程變得顯著當晶片被加熱。

在晶圓將弓型不均勻或翹曲。這種翹曲是非常困難的MOCVD工程師抵制，並引發了一些嘗試的解決方法，包括轉會到較厚的晶片，並采用消除應力層。這些技術添加到生產成本和複雜性。如果沒有抵消經線，外延過程中，結果是降低LED芯片的產量。

最後一個技術障礙是在PSS技術在晶片和申請的切片和拋光。切片和拋光是困難的過程，必須做好生成外延過程中良好的產率。由於大晶片是9-16 ×較大，難度顯著增加。

PSS應用面臨著類似的挑戰，用額外的障礙，該圖案僅可無縫地應用到在有限的尺寸範圍小於6英寸為了獲得PSS對6在晶片步進機（半導體制造工具）必須適用於多種模式，這是常見的矽產業。然而，對於HB- LED的多種應用模式的邊緣必須緊密配合或LED產量將下降。這種精度要求被證明是非常具有挑戰性的。

市場環境和技術挑戰這些障礙已經創建了多個限制為大規模采用大口徑基板。在未來，市場需求將需要的吞吐量，並使用較大的基片，得到唯一可用的，並且作為結果的技術難題將被克服。為克服挑戰的可能性的證明，幾個一線廠商已經做了開關和定位與優勢的廣大業內人士。


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