潛在的藍寶石基板中斷

可以肯定的是HB-LED制造最終將移動到大口徑藍寶石基板，現在的問題是如何快速將什麼材料用於在基片？

正如開始時說，采用大口徑，目前低，預計需要數年時間才能完成。然而，在替代物，以傳統的藍寶石的進步可能會加速這個收養或開拓利基渠道，一些公司。但首先，我們將專注於藍寶石。

我們注意到主要挑戰是低材料利用率由於a軸生長和缺陷，使較大的晶片價格昂貴的高水准。有可以直接在c軸成長為低得多的廢物替代生長技術。此外，生長技術，避免顯著的缺陷也可提供。

藍寶石生長與c軸生長（也稱為軸上成長為LED應用）和低缺陷水平的這些特點非常適用於大口徑應用進行了優化。描繪了c軸CHES技術，低材料利用率和高缺陷水平的問題都解決了一次，用近淨成形坯體的額外好處。其結果是在75％以上的利用率為6-和8-中的應用程序。

另外，經線的外延過程中，我們從a軸生長的藍寶石看見的問題將減少，因為在c軸CHES晶片生長與在其表面上的單個簽名的時間。由於這些優點，因此預計，隨著越來越多的制造商移動到大直徑的應用中，生長技術也將過渡到c軸，低缺陷水平的增長。

被替代襯底為藍寶石，如矽，碳化矽和氮化鎵（GaN）也正在研究中。也有少數LED廠商甚至在生產上的每個基板，尚不能作為一個具有成本效益的替代藍寶石。在藍寶石每種方案都有一定的優勢，但需要多個突破，為他們中的一個顯著取代藍寶石。替代基板，目前的預測給矽成功的最佳機會。

因為LED具有如此廣泛的潛在市場，會有隨著藍寶石其餘主要餘地這些替代襯底。例如，利用氮化鎵襯底帶來的是每個芯片的性能更高 - 雖然在非常高的成本。該基板可能會發現其中一個明亮的LED芯片是希望或要求一個利基。
下一個直徑近6中是8英寸氮化鎵晶圓。這些晶圓給另一個顯著收益的LED芯片數量和更多機會提高產量。然而，我們在前面研究的障礙是一樣的，加上藍寶石基板成本增加一倍以上6中使用-軸生長的方法。因此，預測是這些替代的技術（藍寶石上生長c軸，矽或其它襯底） 1將成為主導為8英寸矽片和超越。


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