在氮化鎵外延層效果的藍寶石襯底表面的初始熱清潔處理

 
 

在藍寶石襯底表面的hydrogenambient原位thermalcleaning治療對ofepitaxial通過金屬有機化學氣相沉積微型LED(MOCVD)生長的氮化鎵薄膜的結構,光學和電學性質的影響。霍爾效應, X-射線衍射(XRD) ,並且在1040 ℃下生長明顯地indicatethat的膜質量的強烈影響基片表面的熱cleaningtreatment 氮化鎵薄膜photoluminescencemeasurements 。 氮化鎵薄膜下在273弧秒和728角秒的衍射峰半高(半高寬)為1070°C的optimizedthermal清洗處理10分鐘showedminimum全寬分別。此外,該帶邊發射峰的半峰全寬為窄至28.3毫電子伏特,和帶邊發光和yellowband發射之間的強度比為高達100在室溫下進行。它被alsofound藍寶石表面的粗糙度thethermal治療後降低。

氮化鎵微發光二極管(微型LED)與單片集成微透鏡已被證實。微透鏡,具有44微米的焦距和均方根的〜 1nm的方粗糙度,已被制作在微型LED的陣列的一個藍寶石襯底的拋光後表面由抗蝕劑熱回流和等離子體蝕刻。微透鏡的光學性質已經證明,以改變LED發射器的發射模式。光從這種混合裝置發出的錐顯著比傳統的廣泛區域的設備少發散。的微型發光二極管和微透鏡技術的結合提供了用於在基於氮化鎵的發光體的整體效率進一步提高的潛力。


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