高性能的薄膜倒裝芯片的InGaN型氮化鎵發光二極管
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- 分類:藍寶石長晶爐-鎢制品新聞
- 發佈於:2014-02-08, 週六 13:34
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數據上的薄膜倒裝芯片的InGaN操作呈現/氮化鎵多量子阱發光二極管(LED ) 。薄膜LED概念與倒裝芯片技術的組合示出,以提供表面光亮度和光通量輸出優於常規倒裝芯片和垂直注入的薄膜發光二極管。的藍色,白色和綠色的薄膜倒裝芯片的性能特性1 × 1平方毫米LED被描述。藍色( 〜 441 nm)的薄膜倒裝芯片LED的表現與191 mW/mm2 SR四射為1 A驅動器,比傳統的倒裝芯片LED更亮的兩倍多。封裝的薄膜倒裝芯片藍色LED燈顯示有38%的外部量子效率為350 mA的正向電流。白色燈根據YAG :鈰的熒光粉塗層器件具有60流明/瓦的發光效率在350 mA時為96流明/瓦,在20 mA的峰值效率為38 Mcd/m2為1 A的驅動電流的亮度,37 Mcd/m2在1 A.綠色( 〜 517 nm)的器件具有亮度。
在高品質的2.0微米氮化鎵外延層,生長在藍寶石襯底上測量偏振拉曼光譜。在氮化鎵所有對稱性允許的光學聲子已分配如下所示:A1 (LO) 735 -1; A1 (TO) 533 -1; E1 (LO) 743 -1; E1 (TO) , 561 -1; E2, 144和569厘米-1 。使用Lyddane - 薩克斯 - 泰勒的關系,甘為普通和特殊方向上的靜態介電常數已垂直於0 = 9.28估計的ε和E /子/ / 0 / = 10.1 ,還觀察到准LO聲子的氮化鎵。
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