通過分子束外延生長在藍寶石襯底上的Zn0.7Mg0.3O/ZnO異質結構場效應晶體管的特性

一個鋅Zn0.7Mg0.3O/ZnO異質結場效應晶體管（ HFET ）的鑒定報告。在HFET是基於一個鋅0.7鎂0.3O/ZnO/Zn0.7Mg0.3O單量子阱（SQW ）通過分子束外延生長a面藍寶石基板上，而制作用常規的光刻技術結合幹蝕刻。該HFET的室溫特性是一個N溝道耗盡型0.70mS/mm的跨導和140cm2/Vs的場效應遷移率，與在130cm2/Vs的SQW電子霍爾遷移率一致。的開/關比在VDS = 3V為〜800 ，這是由一個沒有充分地抑制泄漏電流流過底部Zn0.7Mg0.3O屏障的限制。

描述了最近的實驗努力生產藍寶石上，除去從藍寶石基板這樣的層，並且如此獲得的自支撐氮化鎵系材料的性能的高品質厚（ 為300μm ）的氮化鎵層。生長過程中的一些細節在此工作中使用的立式反應器的幾何描述。像位錯，微裂紋和凹陷生長過程中產生的缺陷​​進行了討論，同時程序，以盡量減少對生長表面的濃度。激光剝離技術被證明是一種可行的技術，尤其是如果可以用強大的激光具有大斑點尺寸。與自由站立材料的一個主要問題就是這樣一個晶圓通常大鞠躬，由於建在靠近前氮化鎵藍寶石界面缺陷的濃度。這個弓形通常會導致相當大的寬度的自由站立的材料的XRD搖擺曲線的，而光學數據證實幾乎菌株的優良品質的免費材料在頂面。


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