藍寶石襯底對氧化鋅薄膜的磁控濺射生長性能的影響退火

藍寶石襯底上用直流磁控反應濺射外延生長氧化鋅薄膜品質的退火效應進行了研究。通過高溫退火形成在藍寶石（α- Al2O3）的襯底表面上的原子臺階的原子力顯微鏡進行分析。他們對氧化鋅薄膜生長的影響進行了檢查， X射線衍射和光致發光測量。實驗結果表明，膜品質有顯著影響的藍寶石襯底表面的退火處理。藍寶石襯底的氧化鋅的最佳退火溫度磁控濺射是1400 ℃，在空氣中1小時。

垂直對齊的單晶氧化鋅納米棒已經成功地製造在通過一個氣 - 液 - 固過程中半導體的氮化鎵，Al0.5Ga0.5N和氮化鋁基板。近乎完美對齊，觀察所有無基材橫向生長。室溫光致發光測量顯示較強的發光峰在378 nm處。這項工作表明生長氧化鋅納米棒異質結陣列上的鋁 x 鎵 - X氮 ，其具有從3.44到6.20電子伏特，通過改變鋁組分從0到1的可調帶隙的可能性，並打開一個新的通道建立垂直對準的異質結器件陣列具有可調的光學特性並實現了一類新裝置中的。


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