氮化鎵的MISFET對藍寶石襯底功率和線性特性

從通過在氮化鎵中的場效應晶體管（FET）一種MIS柵結構而產生的器件的性能的改進提出。氮化鎵MISFET / MESFET器件被制造在藍寶石襯底上具有和不具有對設備表面的薄氮化矽層的插入。在MIS場效應管器件顯示改進的器件特性由於顯著減少器件柵極漏相對於標准MESFET結構。測得的功率和線性性能表現出可喜的成果。根據於4GHz單音測試，設備產生的飽和輸出功率6.2瓦/毫米， 55 ％的峰值功率附加效率。當使用雙音信號設備進行測試保持了載體的30 dBc的高達1.8瓦/毫米， 40 ％的功率附加效率功率級三階互調比。

氮化鎵薄膜通過使用在低溫下生長的氮化鎵緩沖層的低壓金屬有機化學氣相沉積生長在c面藍寶石基板上。氮化鎵薄膜的質量和表面形貌進行了強烈影響，在氮化鎵緩沖層和氮化鎵外延層的生長之前，在藍寶石基板的表面進行預處理。生長在預氮化的藍寶石基片表現出的膜對這些生長在即使表面形態變得粗糙襯底的膜的改進的電性能和光學性能。我們已經在2× 1016-5 ×的範圍實現了載流子濃度1017厘米-3和電子遷移率在250-300厘米2 / V s於室溫的範圍內。氮化鎵薄膜是由光致發光，霍爾測量，X-射線搖擺曲線和透射電子和掃描電鏡進行評價。


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