半極性氮化鎵層通過控制各向異性增長率R面的圖形化藍寶石襯底上生長

半極性的氮化鎵通過控制在無掩模r面圖案化藍寶石襯底的各向異性生長速率來實現。經優化的生長條件下，對蝕刻的c面狀藍寶石氮化鎵層的生長速度比在其它平面，如原始r面藍寶石高得多。奇導向的氮化鎵證實當氮化鎵生長僅在c面狀藍寶石側壁。的各向異性生長速度的控制是使用無掩模圖案的基板成長非極性和半極性層非常有用。

描述了通過有機金屬化學氣相沉積在r面藍寶石襯底的非極性a面氮化鎵薄膜生長的結構特征。平坦生長表面已實現並針對設備質量層的電位通過沉積低溫成核層之前，高溫外延生長實現。在氮化鎵相對於該面藍寶石基板的面內方向被證實是和由於氮化鎵薄膜的極性，用會聚光束電子衍射確定這種關系是明確定義的。位錯和堆垛層錯，在平面圖和剖面透射電子顯微鏡圖像觀察，主導了氮化鎵微觀結構與密度分別為亞微米坑和晶體露臺上觀察到光學鏡面的氮化鎵表面的原子力顯微鏡。


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