電子遷移率超過104平方厘米/VS中的AlGaN-GaN異質結生長在藍寶石襯底上

高品質的AlGaN/GaN摻雜的單異質結（SH）具有不同鋁含量已生長在藍寶石襯底上。的磁輸運調查對這些樣品進行的在低溫下。舒勃尼科夫德哈斯振蕩在下面3T和整數量子霍爾效應的磁場的觀察，確認在的AlGaN / GaN界面的二維電子氣（2DEG ）的存在。該鋁0.18鎵0.82N/GaN SH顯示10300平方厘米​​/ V S霍爾遷移率在6.19 × 1012/cm²在1.5 K。測量到我們所知承載層的密度，這是最高的載流子遷移過在藍寶石襯底上生長氮化鎵基半導體計量。遷移率和載流子密度的片材的Al的組分依賴性進行了研究。基於壓電場效果， 2DEG面密度的Al的組分依賴性進行了計算，這與實驗結果吻合很好。負磁阻與在低磁場拋物面磁場的依賴性，也觀察到在樣品中具有最高的2DEG薄層密度。

高光提取效率表現在倒裝芯片發光二極管（ FCLED ）與有紋理的藍寶石襯底。使用幹法蝕刻工藝，以提高光提取效率的藍寶石襯底的底側形成圖案。光輸出功率的測量表明，在活性層發出的光子的散射造成的增加從FCLED逃逸的概率的紋理化藍寶石基板大大增強。該FCLED的光輸出功率為0.4毫米深FCLED為13毫米的網型紋理在藍寶石基板的底側的周期性距離增加了40.2 ％。


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