超過銅大面積單層石墨烯/藍寶石由常壓CVD外延生長

常壓化學氣相沉積（CVD）生長的單層石墨烯的多結晶的銅薄膜異質外延沉積在c面藍寶石。取向控制，外延單層石墨烯是實現以上所述銅薄膜在藍寶石上，而多晶銅膜澱積在Si晶片上給出了非均勻的石墨烯具有多層薄片。此外，CVD溫度被發現影響石墨烯的生長在Cu /藍寶石基板的品質和取向。在CVD生長在1000℃下給出高品質外延單層石墨的六方晶格的取向與所述銅，它是由藍寶石的晶體學方向來確定晶格匹配。在900℃下的CVD溫度時，獲得低品質的石墨烯具有增強拉曼D譜帶，它顯示了六邊形格子的兩個不同的方位; 1與Cu的晶格和另一個30°旋轉相匹配。碳同位素標記實驗表明表面吸附和在較高溫度下氣體供給碳原子的快速交換，從而在高度結晶的石墨烯與大力最穩定的方向與底層的銅晶格一致。

外延單斜雙鎢酸鹽鐳射晶體生長與高結晶品質。基於這些摻Yb複合材料，鐳射手術被證明。一鐿連續波鐳射發射： KYW / KYW晶體在1030nm實現。 25微米薄的Yb： KYW層泵浦在980納米附近的波長由鈦寶石雷射器。在室溫下獲得40mW的最大輸出功率。


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