劍橋大學CCS系統實現6英寸矽晶片生長氮化鎵外延

德國愛思強股份有限公司(Aixtron)日前宣佈，劍橋大學在材料科學與冶金系的新設施中成功完成另一套多晶片近耦合噴淋頭(CCS)MOCVD反應器的調試工作。

據愛思強稱，劍橋大學該套6x2英寸的CCS系統將配置為可以處理一片6英寸(150毫米)的晶片，實現在6英寸矽晶片上生長氮化鎵外延，繼續推進劍橋大學在LED和電子設備方面的研發和實踐。

愛思強總經理托尼·皮爾斯(TonyPearce)表示：“愛思強與劍橋大學已經有很長時間的合作，此前劍橋大學向我們訂購一套反應器，這次又獲得增購另一套CCS研究系統，這也讓我們十分自豪。劍橋大學研究小組已成功發展了一套世界領先的矽基氮化鎵生產工藝，我們期待看到這套新系統為他們的研發工作再助一臂之力。”

英國劍橋大學氮化鎵中心不僅擁有氮化物半導體生產能力，還是全球為數不多同時配備電子顯微鏡、X射線衍射儀、原子力顯微鏡、光致發光(PL)和霍爾效應設備等多種先進表徵設施的研究中心。


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