大尺寸襯底有效降低LED芯片成本
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- 分類:藍寶石長晶爐-鎢制品新聞
- 發佈於:2013-04-21, 週日 08:38
- 作者 hua
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大尺寸襯底可以在每個MOCVD輪次中製作更多的晶片,因此採用大尺寸藍寶石襯底是降低LED晶片成本的主要手段之一。由於LED晶片存在邊緣無效區,所以直徑越大,晶片數量比與直徑比的優勢就越明顯。以6英寸襯底為例,表面積是2英寸襯底的9倍,晶片數量卻是2英寸襯底的10.9倍。
在提高晶片得片率的同時,大尺寸襯底還能提高單機晶片產出。由於MOCVD設備價格非常昂貴,所以提高單機晶片產量也是降低LED晶片成本的主要途徑之一。採用大尺寸襯底可以大幅提高每個輪次的晶片產量,採用6英寸襯底每個輪次的晶片產量比2英寸襯底提高55%。
在此基礎上,我們採用改良KY法技術,突破了傳統的C向長晶法,不但將產品做到了大公斤級別,而且晶體品質達到A向長晶同等甚至更優水準。通過對90kg晶體系統的測試及客戶的回饋發現,晶體的性能一致性及穩定性好,開爐合格率高達85%以上,位元錯密度差異很小。
A向長晶,C向掏棒,襯底每個點上的生長時間跨度大,張力和應力相差也較大;C向長晶,C向掏棒,襯底上張力和應力都較小。試驗表明,改良KY法 90kg晶體製作的襯底磊晶過程中彎曲度和翹曲度表現優於A向長晶。同時,晶棒最長可超過300mm,對於多線切割機來說正好匹配,無需進行多根晶棒粘結,大大提高切片效率及一致性,節約了成本。
目前,C向長晶最大已經能製作12英寸C向襯底及部件,可以大幅提升LED外延晶片的生產效率和成本競爭力。
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