鎢鋼首飾知識&新聞

在藍寶石上排列的氧化鋅納米線陣列和GaN層的圖案增長

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-29, 週五 10:07; 點擊數：1301

關於藍寶石和GaN外延層的微米和納米尺度垂直排列的氧化鋅納米線陣列的圖案化生長報告，為了控制氧化鋅納米線的銥坩堝位置和分佈密度，金種子納米點的定義，為規則排列，與沉積蔭罩的協助。電子顯微照片表明，該導線是具有絲軸沿六邊形的c-軸的單晶。在藍寶石和GaN薄膜在Si襯底上的ZnO納米線的外延生長由橫截面電子顯微鏡研究進一步驗證。相比於藍寶石的情況下，在Si襯底上的GaN膜的完美外延生長被認為是更適合於氧化鋅納米線陣列的電勢的電子裝置的應用程式。

射頻爐設備和控制設備，適合用於生長單晶的耐火氧化物，如氧化鋁，通過Czochralski技術進行說明，並用此設備生長的藍寶石球剁例子示。氧化釷採用在整個爐。氧化釷有較低的熱容量和較高的電阻率在該工作溫度比任何其他難熔氧化物。這使銥坩堝基座在溫度接近其熔點時使用。

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藍寶石Czochralski晶體生長期間不同階段傳輸過程對RF線圈位置的影響

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-29, 週五 10:05; 點擊數：1386

藍寶石晶體生長過程中的各個階段上熱感應加熱直拉晶體生長爐中的RF線圈位置影響，並流傳輸時晶體 - 熔體介面的形狀的形狀，並且功率要求的數值研究。結果表明，雖然溫度和速度下降的最大值，晶體熔融介面隨著晶體長度的凸性增長。它被發現時所需的最小輸入功率如果RF線圈的中心位置是在晶體生長過程中保持在低於熔體的中心的位置。在這樣的晶體生長條件下，溫度梯度沿結晶前小。

藍寶石薄膜，一般為10微米厚，使用脈衝鐳射沉積從一個不摻雜鈦藍寶石襯底：藍寶石單晶目標為0.1 ％（重量）氧化鈦的摻雜水準。這些薄膜都顯示利用離子束溝道和X-射線衍射技術具有非常高的晶體品質。鈦摻入薄膜的程度使用電感耦合等離子體質譜法和粒子誘發X射線發射的影響。這些技術表明，高達0.08重量％氧化鈦的水準存在於沉積層。

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現代潮流的晶體生長和藍寶石的新應用

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-28, 週四 09:44; 點擊數：1310

我們提供的藍寶石晶體生長與藍寶石晶片作為LED基板的應用程式的最新市場趨勢和現代競爭的方法的概述。幾乎高溫生長從熔體的所有方法適用於生產的藍寶石，但每一種方法都有其優點和缺點，這取決於應用程式和所需的最終產品的外形尺寸。特別注意的缺陷和不完善之處，允許基於藍寶石新的有源器件的工程審查。

內部加熱的壓力容器被用來研究GaN組成在溫度高於900 ℃，並在系統中Ga的N2相平衡的分解反應。由於這些研究的結果，我們通過一個VLS進程中開展的氮化鎵晶體的自由和外延層的晶體生長在藍寶石上。我們已經成功地在高品質的外延層示出了臺面結構典型LPE的合成。作為生長條件的函數n和p型氮化鎵得到，後者僅在多晶形式。

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利用數值模擬的由泡生法生長高品質藍寶石晶體

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-28, 週四 09:47; 點擊數：1428

在目前的工作中，一種先進的數值模型，建議進行分析的傳熱和在藍寶石晶體生長流動圖案由泡生法。該新方法占熔體中的結晶和對流中的輻射熱交換，並提供了結晶前形狀的預測。該模型允許多個增長建立設計和選擇最佳配置的分析。與CGSim軟體進行數值預測吻合較好在報導首次優化晶體生長過程中獲得的實驗資料。

最近在監控系統利益的需要被傳輸在很寬的光譜範圍非常大的光學視窗。其他一些要求涉及的耐用性，高強度和耐用性，以抵禦惡劣的環境。因此，藍寶石已經要求用於這些應用。該換熱器的方法（ HEM ）TM已被用來產生非常大的藍寶石晶體主要用於光學應用。 20釐米和25釐米直徑的晶體已經生產中生產超過20年。目前34釐米直徑的圓垛已經通過了生產，目前為50釐米直徑的藍寶石生長在發展。的進展和晶柱的特徵資料結果將提交。

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通過近淨形單晶生長藍寶石生產圓頂的兩種方法

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-27, 週三 09:45; 點擊數：1415

大藍寶石單晶的近淨形穹頂的幾何形狀由梯度凝固法（GSM）的生長。該增長是在雙壁鉬坩堝，和完美的晶體，無晶界和散射中心，生產。這個過程是用來生長藍寶石圓頂具有不同的晶體取向，包括光軸。這個過程顯著縮短圓頂的製造過程中，從而導致了更便宜的，高品質的產品。

藍寶石和尖晶石的使用熱交換器的方法（HEM）晶體生長過程中的液 - 固介面的進度已經被研究和相關的處理參數。晶體生長也因此得到了優化，生產晶體材料無空隙和散射中心的95-100％。

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