緩沖層的氮化鎵中的金屬有機氣相外延在藍寶石襯底上的效果
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- 發佈於：2014-01-13, 週一 15:17
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高質量的氮化鎵薄膜具有表面光滑，無裂紋，可以通過金屬有機氣相外延（ MOVPE ），使用薄的氮化鋁緩沖層生長在
藍寶石襯底上。在緩沖層中最重要的角色被發現的成核位點具有相同的晶體取向的襯底的供應，以及促進的氮化鎵的橫向生長是由於界面自由能的減少在襯底和外延氮化鎵膜之間。
氮化鎵和GA1 - xAlxN （ 0 <X ≦ 0.4 ）的藍寶石襯底上生長了MOVPE薄膜被發現由許多馬賽克與晶體不同取向的。由前面的薄氮化鋁緩沖層的沉積，在晶粒取向的微小變動，能夠大幅度減小，並且薄膜的結晶質量顯著提高。兩者的厚度和所述氮化鋁層的沉積溫度被發現是最佳的作為緩沖層來傳達所述基板的信息，如晶體取向和放松在此異質外延生長的應變。在氮化鋁緩沖層的主要作用被認為是具有相同的取向基板和促進該膜的橫向生長，由於薄膜和襯底之間的降低界面自由能成核中心的供給。
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薄膜厚度對氧化鋅薄膜沉積在藍寶石襯底上用PLD的結構和光學特性變化的影響
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- 發佈於：2014-01-13, 週一 15:14
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氧化鋅薄膜沉積在藍寶石基板上以利用脈沖激光沉積（PLD）法，以調查了薄膜的結構和光學性質的各種厚度。沉
積條件對紫外線發射性能進行了優化。結構和光學性能進行了表征與X射線衍射和光致發光（PL） 。在氧化鋅膜的厚度導致的結構和光學性質的改善所致。這種增強可能是由於應變在由膜厚度的增加，氧化鋅膜和藍寶石襯底之間的界面下降。
氮摻雜的氧化鋅層生長在藍寶石襯底上通過自由基源分子束外延通過經由射頻自由基源同時引入氧氣和氮氣。反射高能電子衍射和X射線衍射測量結果表明，高氮氣/氧氣流量比誘導生長雙胞胎到氧化鋅層。用10％的氮氣/氧氣的流量比被發現有1×1019厘米-3的化學氮濃度的氮摻雜氧化鋅制成。然而，盡管大的氮結合，觀察到誘導延長的缺陷從n型的類型轉換為p型的並沒有出現。
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透明陶瓷裝甲和EM窗口的應用程序
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- 發佈於：2014-01-10, 週五 14:06
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近日，美國陸軍研究實驗室（ARL）一直專注於透明裝甲材料系統，適用於各種應用的開發越來越多的關注。未來
作戰和非作戰環境要求重量輕，威脅可調，多功能，以及實惠的盔甲。目前玻璃/聚碳酸酯技術預期不能滿足增加的需求。結果，在過去數年表明，采用透明結晶陶瓷大大提高系統的性能。這些結果加上近期加工制造業的進步振興中使用透明陶瓷裝甲系統的興趣。該材料目前正在調查在ARL是鎂鋁尖晶石（鎂鋁尖晶石）、氮氧化鋁尖晶石（阿隆）、單晶藍寶石（Al2O3）的眼鏡、玻璃陶瓷。所研究的聚合物是聚碳酸酯（PC）和聚氨酯（PU）。在這些領域目前的ARL的努力，包括動機采用透明陶瓷，要求，潛在的應用，以及正在進行處理研究的概況進行審查。
藍寶石單晶的菱形結對行為溫度和應力的依賴性進行了研究。標本變形中沿c-軸具有低於1100℃的英斯特朗萬能試驗機，以避免基底孿晶和滑移位錯的壓縮。菱面體結的形成可以通過在孿生錯位雙扭結的成核來解釋，而雙增長可以在相對低的溫度下被視為是由原子擴散在高溫下驅動的孿晶的位錯運動和機械滑動。活化焓和菱面體結錯位激活體積和也孿生位錯運動的活化能使用斯米特的經驗方程和阿侖尼烏斯方程計算。
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藍寶石的高強度粘接
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- 發佈於：2014-01-10, 週五 14:10
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被用於粘合試驗用流延法制備含各種化學添加劑多晶氧化鋁魚片。與專用夾具爐導向藍寶石坯料邊緣粘合精確對
准，並在熱處理過程中施加負荷的組件。這種做法是符合並建立在在前面的邊緣粘合研究中使用的方法。粘合的樣品的彎曲強度，相比於單片藍寶石，被用來作為性能度量。附加的粘結運行進行了利用性能最高的圓角組合物中以提供對標本足夠數量進行粘合的材料的失效概率的威布爾分析施加的應力的函數。
含有高純度的氧化鋁組合物，3%重量的氧化矽， 0.05重量%的氧化鎂，和0.05%重量的鈦，生產的最高強度債券。該組合物得到的255兆帕（37 KPSI ）的平均斷裂強度為8.2威布爾模量和269兆帕（39 KPSI）的特性強度。這些結果媲美單片的藍寶石標本而產生的284兆帕（41 KPSI）的平均斷裂強度。
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氧化鋅薄膜沉積在藍寶石襯底化學氣相沉積
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- 發佈於：2014-01-09, 週四 15:05
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氧化鋅薄膜具有約200的厚度沉積在a面藍寶石襯底上納米化學氣相沉積（CVD）的方法用混合ZnO-powder/C-
powder固體源。這些薄膜用原子力顯微鏡（AFM） ，掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發光（PL ）光譜。氧化鋅薄膜的溫度PL的關系的測定表面結構特性及其光學特征之間的相關性進行了研究各種生長條件，如流量氧氣噴射氣體和生長溫度。在室溫下，為3.305電子伏特這些電影的庫侖相互作用增強吸收力通過光吸收測量確定。
當然調結構，氧化銦（氧化鋅） 5片通過在藍寶石襯底上磁控濺射法外延生長。薄膜的晶體結構和形態特征，其特征在於，利用X射線衍射和電子衍射圖案。 In2Zn5O8的強烈c軸方向朝向的膜的沉積是由外延生長具有自緩沖層（SBL）來實現。 In2Zn5O8的厚度約10納米的薄膜最初沉積為SBL 。該初始膜annealedin原位10-15分鐘，大頭In2Zn5O8的膜之後將其生長。最後，結晶良好的氧化銦（氧化鋅）的薄膜通過在800℃退火得到的膜而得到所合成的膜的電特性有關由它調制的氧化銦（氧化鋅）的結構形成機制的討論。
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