單層二硫化鎢薄膜的生產

二維過渡族金屬硫化物（Transition metaldichalcogenides,TMDCs）是一類由過渡族金屬原子和硫族非金屬原子構成的二維晶體材料，大都具有半導體特性（如MoS2和WS2）或超導特性（如NbSe2和TaSe2，其中X=S，Se），極大豐富了二維晶體材料的物性和應用。作為過渡族金屬硫化物的主要代表，二硫化鎢具有優異的光學、電學、力學和熱學等性能，在電子器件、光電器件、感測器等領域中具有巨大的應用前景。下面，我們一起來瞭解一種大面積單層二硫化鎢薄膜的生產方法。

一種基於常壓化學氣相沉積的大面積單層二硫化鎢薄膜的製備方法，包括如下步驟：

（1）SiO2/Si襯底清洗：將SiO2/Si襯底清洗去除襯底表面汙物，吹幹備用；

（2）旋塗WO3無水乙醇分散液：將WO3粉末加入無水乙醇中，分散均勻，制得WO3無水乙醇分散液，然後將WO3無水乙醇分散液均勻旋塗在清洗後的SiO2/Si襯底上；

（3）襯底烘乾處理：將旋塗了WO3無水乙醇分散液的SiO2/Si襯底放置在加熱臺上，使無水乙醇蒸發完全，獲得WO3粉末均勻分散的襯底；

（4）樣品放置：將硫粉放置在單端封閉的石英管的密封端，將步驟（3）所得WO3粉末均勻分散的襯底放置于石英管未封閉端，並在所述WO3粉末均勻分散的襯底上方覆蓋一片同尺寸且清洗過的SiO2/Si襯底，然後將石英管放入管式爐反應腔體內；

（5）二硫化鎢薄膜生長：密封管式爐，抽真空，打開尾氣閥，通入氬氣，升溫後保溫至二硫化鎢薄膜生長完成，在氬氣氣氛下自然冷卻至室溫，取出樣品。

相對于傳統的生產方法來說，該化學氣相沉積法能夠有效控制參與成核和薄膜生長的反應前驅體用量，解決二硫化鎢薄膜尺寸，層數和結晶品質難以控制的問題。

• < 前一頁
• 下一個 >