製作鎢插塞的方法

因此本發明的主要目的在於提供一種於一半導體晶片上製作一鎢插塞的方法，以解決上述習知方法中銅雙鑲嵌結構發生銅擠出現象而影響鎢插塞電性的問題。

為達成上述目的，在本發明的最佳實施例中，該半導體晶片表麵包含有一基底，一銅雙鑲嵌結構設於該基底之上，一介電層覆蓋於該銅雙鑲嵌結構之上，以及一介層洞穿過該介電層並通達該銅雙鑲嵌結構頂部表面。該方法首先於該介層洞的底部及側壁表面形成一厚度約為100至1000埃(angstrom)的氮化鉭層。然後利用一濺鍍(sputter)製程或利用一化學氣相沉積製程(CVD)以於該氮化鉭層表面形成一厚度約為50至600埃的氮化鈦(titanium nitride，TiN)層。接著進行一化學氣相沉積製程以於該氮化鈦層上形成一鎢金屬層並填入該介層洞內。最後進行一化學機械研磨製程，使該鎢金屬層約略與該介電層表面切齊，以於該介層洞形成該鎢插塞。

本發明主要利用氮化鉭層以及氮化鈦層同時作為阻障層，以有效阻絕鎢插塞下方連接的雙鑲嵌​​結構內銅金屬擠出至介層洞內。此外，由於氮化鈦金屬對於鎢金屬的附著能力相當良好，因此在本發明的沉積鎢金屬的製程中，可直接利用一化學氣相沉積法於氮化鈦層上沉積鎢金屬層。


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