用MOCVD來分析的氮化鎵基光電器件在藍寶石襯底上生長

用MOCVD（金屬有機物化學汽相澱積）來分析的氮化鎵基光電器件在藍寶石襯底上生長是在半導體照明行業的常用方法。近年來，隨著外延技術和相關技術的不斷提高，需要更大的藍寶石襯底。 MOCVD反應室結構，大規模外延片的優化和完善進行了研究。優化的高頻加熱石墨基體槽結構，8英寸和12英寸的基板。應祿等al.studied的輻射加熱的MOCVD加熱調制曲線和建議外加熱器的設計原則。為了提高生產效率，一些大MOCVD制造商也集中在如何改善和提高MOCVD腔和藍寶石基板的尺寸在國外。目前，兩英寸和4英寸外延片是常用的，所以廠家誰可以生產六英寸的碳化矽和矽襯底外延片的高品質，在國外會賣到國外芯片。

與III族氮化物的生長，藍寶石成為最廣泛使用的基體材料。藍寶石的質量好，價格低的晶體可以很容易地得到。此外，藍寶石是在高溫下穩定並在藍寶石氮化物的生長技術現已相當成熟。然而，晶圓彎曲的問題，這是由於氮化鎵外延層與藍寶石之間的熱膨脹系數的差異，已經成為許多在大直徑晶片的更嚴重。這將惡化的基板和設備階段或分部門之間的接觸過程中設備的過程中，這將導致降解在光刻設備的均勻性或失敗。

通過使用有限元仿真軟件，特性溫度下的最大晶圓彎曲和藍寶石基板的尺寸之間的關系進行了研究中的氮化鎵的藍寶石襯底的生長的情況下，晶片彎曲關系方程也被推導出來。


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