二氧化鎢釩薄膜結果分析

首先是二氧化釩（VO₂）的XRD和相變溫度分析。通過XRD衍射圖譜發現VO2薄膜結晶度不高，顆粒尺寸較小。而根據VO₂在相變時會發生電阻率突變的這一性質發現氮雜二氧化鎢釩薄膜在62℃左右發生了相變，在這過程中電阻變化了幾十倍，顯示出明顯的熱值相變性能，相比較于粉體，相變溫度降低了大約6℃。
進而比較采用微波等離子法通過氮雜製備的二氧化鎢釩薄膜的XRD衍射圖譜發現，它與VO₂的衍射圖譜相比沒有發生很大的不同。主要是鎢的摻雜量較小，且V⁴⁺和W⁴⁺的離子半徑很接近。VO₂通過氮摻雜可以有效降低其相變溫度，當鎢含量一定時，對樣品的相變溫度起作用的就是氮的摻入量。隨著等離子增强摻雜還原反應過程中的氮氣流量的改變，薄膜的相變溫度發生了很大的變化，這說明氮離子已經摻入到了V_0.98W_0.02O_2-XN_Y晶格中，破壞了VO₂半導體的穩定性，從而使得相變溫度發生變化。經實驗發現，當H2流量爲10ml/min，N2爲10ml/min,反應總功率爲1kPa,反應時間爲10min時，所得的薄膜的相變溫度可以降至35℃。



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