三氧化鎢氣致變色的結構水分子模型(2)

研究者發現在雙注入模型的基礎上，注入的電子在被氧空位捕捉後形成色心是引起材料變色的起源，但是經過研究發現注入的氫也會對材料的變色起作用。因此研究者們建立了結構水分子模型，且這通過熱重質譜聯合技術可證實在三氧化鎢納米線薄膜記憶體在結構水分子。而三氧化鎢氣致變色的水分子結構能很好的解釋三氧化鎢納米線的著色過程。在WO₃納米線薄膜內氣致變色的著色過程可以描述為，吸附在Pt納米顆粒表面的H2分子被離化成為H原子，H原子通過溢出機制轉移到了WO₃納米線表面。氫離子和電子雙注入到WO₃晶格內，然後氫離子與晶格中的O形成結構水分子。該結構水分子在熱擾動或者光照的情況下，容易脫落其原先的位置，導致氧空位的出現。該結構水分子在常溫條件下依然留在晶格內部，並不會排出納米線體外。另一方面，注入的電子填充到由氧空位的出現而引起的導帶底局域態中，從而引起W價態的改變。（從W⁵⁺變成W⁶⁺）。

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