二碲化鉬納米綫的生産

二碲化鉬（MoTe2）是一種典型的過渡金屬硫族化合物，是一種新型的二維層狀半導體材料，具有較高的機械穩定性、獨特的電子和光電特性，因而適合作爲超級電容器的電極材料。MoTe2的生産方法有物理方法和化學方法，如機械剝離法和化學氣相沉積法等，其中化學氣相沉積法是目前公認的最有前景的MoTe2製備方法，但是合成一維結構的二碲化鉬納米綫仍存在較大困難。

專利號爲CN109336069A的研究者提供一種工藝簡單且原料容易獲得的MoTe2納米綫生産方法，即以二氧化矽/矽片爲襯底，鉬粉和碲粉爲原料，在二氧化矽面采用化學氣相沉積法進行二碲化鉬納米綫的生長。

在實操過程中的注意事項有：1）兩個二氧化矽/矽片襯底的二氧化矽面相對叠放，在叠放層間夾放鉬粉和碲粉，鉬粉和碲粉的摩爾比爲1:1～20，總質量爲1mg～4mg；2）MoTe2納米綫的生長容器爲石英管，石英管內通入氬氣（流量爲100sccm）和氫氣（流量爲5～30sccm）的混合氣體；3）在石英管內設置石英試管，石英試管的封口端與混合氣體流動方向相對，在管式氣氛爐中加熱進行 MoTe2納米綫的化學氣相沉積；4）化學氣相沉積的反應溫度爲600～800℃。

利用該方法生産的二碲化鉬納米綫的尺寸較爲均一和面積較大，生産成本較爲合理，能有效解决機械剝離法的不足。研究表明，二碲化鉬的原子層之間的範德瓦爾斯力較大，不適合用機械剝離法進行生産大面積的單層MoTe2薄膜。

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