抗下垂鎢絲，也叫摻雜鎢絲，被廣泛運用於照明行業。

獲得必要的抗蠕變性，大的長柱狀晶粒被認為是理想的金相組織，這些大顆粒是由初級和次級再結晶獲得。在二次再結晶，通常被稱為異常晶粒生長，一些晶粒將大規模生長。正常和異常晶粒的生長機制基本上是相同的，涉及大角度晶界遷移和通過表面能量的降低驅動。異常晶粒生長可以被可視為對少數顆粒的生長有優勢而對大多數顆粒或生長不利。這樣的優點/缺點可通過（1）顆粒尺寸的差異造成的和/或（2）晶界特徵分佈（GBCD）的差異。換句話說，晶粒可以大規模如果它有大的尺寸和/或更有利的（即，較高遷移率）的晶界與基體晶粒的可能性。

 

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濺射法是一種物理氣相沉積的一種。它是通過荷能粒子衝擊固體表面，使固體原子從表面射出，並沉積到基片或工件表面形成薄膜的方法。濺射法又分為直流濺射、射屏濺射、磁控濺射、離子束濺射等等。其中磁控濺射技術是一種沉積速度較快、工作壓力較低的濺射技術，因其獨特的特性而被廣泛應用。運用該方法製備的三氧化鎢薄膜厚度從幾十個納米到幾百個納米不等。用磁控濺射法製備三氧化鎢薄膜的主要控制的條件有：首先是鎢靶由純度為99.9%的鎢粉壓制而成, 其次襯底為透明平面玻璃(25mm),然後工作氣體是氬氣(>99.99%),活性氣體是氧氣(>99.99%),氧氣和氬氣的氣壓比為75%。最後設置工作壓強是1.5Pa,濺射電流為0.12A,濺射電壓為520V,靶距為7cm,濺射時間為45min。

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由於鎢粉和碳化鎢粉的化學純度和物理性能要求嚴格使得制取鎢粉和碳化鎢粉的工藝很複雜，成本也較高。但是多數情況下鎢粉在不是嚴格要求成分的時候其中存在許多雜質，用工業純碳還原制取鎢粉是一種經濟且簡便的方法。且在真空爐內用碳還原三氧化鎢是可直接制取純度較高的鎢粉和碳化鎢粉提供熔煉鑄造碳化鎢用，根據現在的科學技術，用工業純碳或者是碳化鎢粉作為鑄造碳化物的物料是完全可以滿足要求的。用碳還原三氧化鎢的原理與氫還原三氧化鎢的原理是類似的。在常壓下，溫度在750℃條件下加熱三氧化鎢使它與碳黑或者石墨粉的混合物發生還原反應。反應化學方程式是：WO3+3C=W+3CO, WO3+4C=WC+3CO。在1000℃以下，主要由CO參加還原反應，反應化學方程式是：WO3+3CO=W+3CO2，CO2+C=2CO。其中的主要流程包括原料和碳球磨混合、壓力成型、在200℃條件下乾燥，然後真空還原碳化，再經過球磨過濾。

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抗下垂鎢絲（抗下垂是指對在其自身重量變形（“下垂”）的電線的電阻在工作溫度）摻雜矽，氧化鋁，氧化鉀鎢絲，它被廣泛應用於電子器件和熱燈絲燈泡的燈絲，如高燈絲色溫，耐熱衝擊性絲，如陰極管輻射。

 為了使鎢燈絲清晰的抗下垂性的再結晶行為進行了研究用顯微鏡檢查和X射線衍射的裝置。長絲具有凹陷性開始於一個優選的取向有關初始纖維方向在溫度大約1000℃的再結晶。這個方向是在約1300℃被破壞，從而導致普通非優先多邊形結構。在隨後的晶粒生長，即使在相當高的溫度下很慢。與此相反，與抗下垂電線此取向的再結晶被維持達2000~2100℃，隨後突然粗化，其中，所述粗大的結晶侵佔直接在剩餘的纖維結構體。因此，粗大的結晶往往佔據的線的整個橫截面，並且燈絲變為最後以形成連續的鏈組成的單晶。這種現象被解釋為抑制因粗貝克等人在1949年宣導的鎢絲這種抑制作用很可能是由於摻雜材料的微量造成的。

 

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